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杭州遠華激光設(shè)備制造有限公司是一家專業(yè)致力于研發(fā)、生產(chǎn)和銷售激光打標機、激光雕刻機、激光切割機等激光加工設(shè)備的高新技術(shù)企業(yè)。公司座落在杭州富陽東州工業(yè)園區(qū),距杭新景(杭千)高速東洲島出口50米,公司擁有3000平米現(xiàn)代化生產(chǎn)基地,采用現(xiàn)代化的管理模式,以“任人唯賢”的用人方針為指導,吸收了大批“德才兼?zhèn)洹比耸繛槠髽I(yè)之用。 我公司生產(chǎn)的YAG激光打標機、半導體激光打標機.光纖激光打標機.CO2激光打
濱松光子(Hamamatsu Photonics)宣布,成功實現(xiàn)了振蕩波長僅342nm的紫外半導體激光器室溫脈沖振蕩。該公司介紹說:“該半導體激光器的振蕩波長為全球最短。此前明確公布元件特性的最短激光器振蕩波長為350.9nm。”單端面的光輸出功率為16mW,外部微分量子效率為8.2%。
激光器采用AlGaN(氮化鋁鎵)類材料。目前,振蕩波長為405nm的藍色半導體激光器等尚未使用可以提高發(fā)光效率的In(銦)。此次,底板采用了藍寶石。在底板上,采用“異面控制橫向外延過生長法(FACELO: hetero facet controlled epitaxial lateral overgrowth)”形成了GaN層。通過在制成條紋狀SiO2掩膜后,使GaN膜生長,從而獲得結(jié)晶缺陷少的GaN膜。
在GaN層上部,以n型接觸層、n型金屬包層、波導層、采用多重量子阱結(jié)構(gòu)的發(fā)光層、波導層及電子塊層及p型金屬包層的次序,使多種膜生長。n型金屬包層和p型金屬包層的鋁構(gòu)成比高達30%。多重量子阱采用的是鋁鎵構(gòu)成比為4:96的層和14:86的層之間相互疊加的結(jié)構(gòu)。
主要用于生物和環(huán)境等領(lǐng)域
該公司之所以能夠領(lǐng)先其他競爭對手,成功使342nm激光器實現(xiàn)室溫脈沖振蕩,是因為“能夠使鋁構(gòu)成比高達30%的金屬包層以很少的結(jié)晶缺陷生長”(該公司)。一般來說,如果使結(jié)晶在晶格常數(shù)尚未統(tǒng)一的底板上生長,在拉伸變形作用下,結(jié)晶中會產(chǎn)生移位、裂紋等缺陷。并且,此次金屬包層及發(fā)光層等采用的AlGaN的生長溫度高,比其他結(jié)晶更容易產(chǎn)生缺陷。該公司尚未公布解決上述問題的技術(shù)要點,不過主張“通過導入基于自主技術(shù)的GaN結(jié)晶結(jié)構(gòu),成功地使鋁構(gòu)成比高達30%,而且結(jié)晶缺陷少的AlGaN的生長”。
今后,該公司將致力于確認室溫連續(xù)振蕩、確保壽命以及降低電壓等。此外,還計劃通過提高鋁構(gòu)成比,進一步縮短波長。
該公司指出,紫外半導體激光器的主要用途是“取代汞燈和大型氣體激光器裝置”。比如,在生物技術(shù)領(lǐng)域,化學鍵的光能以340nm附近的物質(zhì)居多,因此可以用于計測生體分子活動。具體來說,可用來監(jiān)測病原體污染以及檢測有害化學物質(zhì)等。此外,應用于打印機和光盤,可以提高打印密度和記錄密度。
此次的研究成果將刊登在英國科學雜志《Nature Photonics》”的9月號(預定2008年9月1日發(fā)行)上。另外,部分內(nèi)容已率先在該雜志的web網(wǎng)站上公開。